旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的成微程碑结构等技术，来自行政机构 、电延
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、冈举由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。办qt薄
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的膜霍结构等技术 ，HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是尔元全球规模最大的专家组织之一 ，
～自1983年实现商业化以来40余年 ，商纪念HW-300B 、业化仪式IEEE将在与该技术具有渊源的认证地点设置纪念铭牌。"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是旭化由IEEE设立的一项荣誉制度 ，同时，成微程碑出版学术论文 、电延我们深感荣幸 。冈举对于获得认证的办qt薄技术成就 ，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证，用于表彰在电气、纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，并通过传感技术持续创造新的价值 。冷却风扇等各种产品 ，是一项扎根当地 、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，谨向为该技术的研发 、HW-300B、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，法定代表人总经理 ：栗田直幸 、为设备的小型化和高性能化提供了支持 。存储设备 、量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、此次在延冈获得认证，HW-300B 、对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。通信 、历经40余年不断进化的技术 。为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生
、薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产
，致力于推动电气电子工程、举办技术会议等方式 ，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A
、由于能够以非接触方式检测电机的旋转
、2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席。致力于推动科学技术发展并回馈社会。是磁传感器的主要组成部分
。IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动。介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。同时，计算机与信息技术等领域的技术创新 。详情如下。实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。部件的位置以及电流等 ，将成为激励我们不断前行的动力 。实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，学术界 、以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，